| 高 Q 值 MEMS 谐振器结构拓扑优化设计
| 高 Q 值 MEMS 谐振器结构拓扑优化设计
摘要 高品质因子(Q值)是决定MEMS谐振器传感灵敏度与频率稳定性的核心指标.然而,微纳尺度下的能量耗散机制复杂,传统基于几何直觉的结构设计难以在多阻尼耦合环境下实现Q值的最大化.针对这一问题,本文提出了一种面向高Q值的MEMS梁式谐振器拓扑优化设计方法.首先,基于热弹性理论与弹性波辐射理论,构建了包含热弹性阻尼(TED)与锚点损耗的多物理场综合仿真模型,通过引入完美匹配层(PML)与热一结构耦合方程,实现了对谐振器总能量耗散的精确量化.在此基础上,采用变密度拓扑优化算法,以最大化一阶模态Q值为目标,对硅基双端固支梁进行了结构演化设计.研究获得了两种具有显著低损耗特征的新型拓扑构型,物理机理分析表明,优化结构通过特殊的材料分布,一方面有效切断了横向热流路径,抑制了热弹性耗散;另一方面实现了锚点区域应变能的“软夹紧”重分布,减少了向基底的能量泄漏.仿真验证结果显示,相较于近似频率的传统实心直梁,优化构型的Q值最大提升了5.6倍.本研究验证了多物理场协同拓扑优化策略的有效性,为高性能MEMS谐振器的设计提供了新的理论指导与技术路径.